FQD17N08LTF
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQD17N08LTF |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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888+ | $0.34 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252-3 (DPAK) |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.45A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12.9A (Tc) |
FQD17N08LTF Einzelheiten PDF [English] | FQD17N08LTF PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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